应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器pdf
来源:鼎盛游戏app 发布时间:2026-04-16 07:54:24本发明涉及应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,包括依次连接的偏置电路、感温电路及单位增益缓...
本发明涉及应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,包括依次连接的偏置电路、感温电路及单位增益缓冲电路,所述偏置电路与所述单位增益缓冲电路连接。偏置电路包含启动电路,所述启动电路用于保证上电之后电路进入正常工作状态,同时为所述感温电路提供偏置电流Ibias,所述感温电路再将温度信息转换为负温度系数模拟电压信号2VBE;为了驱动较大片外负载,2VBE需要经过一个单位增益缓冲器来保持输出电压不受外部负载影响,因此最后由单位增益缓冲电路对2VBE进行缓冲输出模拟电压信号TAO。其能通过常温校准实现全
1.应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,其特征是,包括依次连接的偏置电
路、感温电路及单位增益缓冲电路,所述偏置电路与所述单位增益缓冲电路连接;
所述感温电路,用以根据所述偏置电流,将温度信息转换为负温度系数模拟电压信号;
所述单位增益缓冲电路,用以根据所述负温度系数模拟电压信号进行缓冲后,输出模
2.根据权利要求1所述的应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,其特征是,所
述偏置电路包含启动电路,所述启动电路用于保证上电之后电路进入正常工作状态,同时
为所述感温电路提供偏置电流I,所述感温电路再将温度信息转换为负温度系数模拟电
为了驱动较大片外负载,2V需要经过一个单位增益缓冲器来保持输出电压不受外部
负载影响,因此最后由单位增益缓冲电路对2V进行缓冲输出模拟电压信号TAO。
3.根据权利要求1所述的应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,其特征是,在
单位增益缓冲电路中,差分输入端两支路电压由一对可调偏置电压VB调节,当差分输入端
电压不同时,通过调节电流差来实现对输出端的补偿,从而通过反馈使差分输入端完全相
等,对失调电压的校准过程只需在常温下完成便能实现全温度范围内的offset补偿。
4.根据权利要求1所述的应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,其特征是,所
述偏置电路用于提供一个相对来说比较稳定的恒温偏置电流,减少单增益缓冲器重要性能指标受温
5.根据权利要求1所述的应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,其特征是,所
6.根据权利要求1所述的应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,其特征是,所
第一校准电路CAL1和第二校准电路CAL2,所述CAL1和所述CAL2分别为校准时的两个电
第一支路A12与第二支路A1为一对大小比例为12:1的电流拷贝,第三支路B12与第四支
在没有进行校准的情况下所述第一支路A12与所述第三支路B12的电流完全相同。
7.根据权利要求6所述的应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,其特征是,所
述第一校准电路CAL1与所述第二校准电路CAL2两个端口的输入电流由EFUSE控制器中相关
8.根据权利要求7所述的应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,其特征是,当
TRIM_SENS[8]=0时,所述第二校准电路CAL2端口电流增加,由于所述第一支路A12与第三
支路B12的电流镜像大小完全相同,流经所述第三支路B12的PMOS管电流减小,拷贝到所述
9.根据权利要求8所述的应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,其特征是,当
TRIM_SENS[8]=1时,所述第一校准电路CAL1端口电流增加,输出电压增大,实现正方向的
10.根据权利要求9所述的应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,其特征是,在
不同工艺、电源的情况下校准时需根据详细情况对EFUSE控制器中相关寄存器TRIM_SENS
[0001]本发明涉及运放缓冲器技术领域,尤其是涉及应用于BJT温度传感器的高精度运
[0002]单位增益缓冲器(UnityGainBuffer)指电压增益为1的运放电路,即运算放大器不
提供任何信号放大,输出电压信号与输入电压信号相同。在一个电路系统中,电源有内阻,
负载有阻抗,对电压型负载来说电源内阻越小、负载阻抗越大,系统性能越好,低阻抗负载
和高内阻电源会导致负载没有办法获得较高电压,这样的一种情况下就需要加入缓冲器来提升系统性
[0003]现有的技术中,理想缓冲器的特性是输入阻抗无穷大,输出阻抗很小,在缓冲器之
后接负载能够保证负载获得比较大电压,同时使电路功率受到很小的干扰。运放电路具有高
输入阻抗特性,作为缓冲器使用能够更好的起到阻抗变换的作用。而作为运算放大器的非理想特
性之一,失调电压意味着无论开环连接或者反馈连接,当两个输入端都接地时,理论上输出
应该是0,但实际电路中运放内部两输入支路无法完全平衡,输出不可能为0。考虑到此处引
入的误差会对温度传感器的精度造成较大影响,因此,在兼顾成本的同时对单位增益缓冲
[0004]针对现存技术存在的不足,本发明的目的是提供应用于BJT温度传感器的高精度
运放缓冲器,其能通过常温校准实现全温度范围的失调电压补偿,使得单位增益缓冲器输
[0006]应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,包括依次连接的偏置电路、感温电路
[0008]所述感温电路,用以根据所述偏置电流,将温度信息转换为负温度系数模拟电压
[0009]所述单位增益缓冲电路,用以根据所述负温度系数模拟电压信号进行缓冲后,输
[0010]作为本发明的进一步的技术方案:所述偏置电路包含启动电路,所述启动电路用
于保证上电之后电路进入正常工作状态,同时为所述感温电路提供偏置电流I,所述感
[0011]为了驱动较大片外负载,2V需要经过一个单位增益缓冲器来保持输出电压不受
外部负载影响,因此最后由单位增益缓冲电路对2V进行缓冲输出模拟电压信号TAO。
[0012]作为本发明的进一步的技术方案:在单位增益缓冲电路中,差分输入端两支路电
压由一对可调偏置电压VB调节,当差分输入端电压不同时,通过调节电流差来实现对输出
端的补偿,从而通过反馈使差分输入端完全相等,对失调电压的校准过程只需在常温下完
[0013]作为本发明的进一步的技术方案:所述偏置电路用于提供一个相对来说比较稳定的恒温偏
[0014]作为本发明的进一步的技术方案:所述感温电路内的温度传感元件由BJT的基极
[0016]第一校准电路CAL1和第二校准电路CAL2,所述CAL1和所述CAL2分别为校准时的两
[0017]第一支路A12与第二支路A1为一对大小比例为12:1的电流拷贝,第三支路B12与第
[0018]在不进行校准的情况下所述第一支路A12与所述第三支路B12的电流完全相同。
[0019]作为本发明的进一步的技术方案:所述第一校准电路CAL1与所述第二校准电路
CAL2两个端口的输入电流由EFUSE控制器中相关寄存器TRIM_SENS[8:0]的配置调节,其中,
[0020]作为本发明的进一步的技术方案:当TRIM_SENS[8]=0时,所述第二校准电路CAL2
端口电流增加,由于所述第一支路A12与第三支路B12的电流镜像大小完全相同,流经所述
第三支路B12的PMOS管电流减小,拷贝到所述第四支路B1.5的电流减小,导致所述感温电路
[0021]作为本发明的进一步的技术方案:当TRIM_SENS[8]=1时,所述第一校准电路CAL1
[0022]作为本发明的进一步的技术方案:在不同工艺、电源的情况下校准时需根据具体
情况对EFUSE控制器中相关寄存器TRIM_SENS[8:0]进行配置,以使电路实际输出电压更接
[0024]与现存技术相比,本发明公开了一种应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,
其通过efuse中寄存器配置调整偏置电压对来达到改变单增益缓冲器中支路电流,调整电
流差的目的,从而使得在缓冲器中引入的失调电压offset可调,在电源电压变化范围为2‑
5.5V时,整体系统offset调整步进为正负两个方向各32steps,全温度范围内补偿最大可达
±11mV。在不同工艺、电源、温度的情况下可灵活调整efuse控制器中相关寄存器TRIM_OS
[6:0]的配置来实现失调电压的补偿功能,使得单位增益缓冲器输入信号实现完美缓冲,提
[0028]下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述;显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例,基于
本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没做出创造性劳动前提下所获得的所有其他
[0029]在本申请的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示
的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为便于描述本申请和简化描
述,而不是指示或暗示所指的装置或元件一定要有特定的方位、以特定的方位构造和操作,
因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解
[0030]在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“设
置有”、“套设/接”、“连接”等,应做广义理解,例如“连接”,可以是固定连接,也可以是可拆
卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中
间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体
度、低校准成本等优势可大范围的使用在消费电子、医疗、环境监视测定等场景中。其工作原理为感温
前端使用两个不同电流密度的BJT得到负温度系数电压V,负温度系数电压V经过单增益
高精度放大器缓冲后接ADC模拟信号输入端。考虑到运放的非理性特性,如失调电压、有限
增益等都会造成误差,其中失调电压是由于输入差分对MOS管版图或者工艺的失配,导致输
入端差分电压出现误差。而本电路的设计则能通过常温校准实现全温度范围的失调电压补
[0033]参照图1,为本发明公开的应用于BJT温度传感器的高精度运放缓冲器,包括依次
连接的偏置电路、感温电路及单位增益缓冲电路,偏置电路与单位增益缓冲电路连接。
[0035]感温电路,用以根据所述偏置电流,将温度信息转换为负温度系数模拟电压信号;
[0036]单位增益缓冲电路,用以根据所述负温度系数模拟电压信号进行缓冲后,输出模
[0037]偏置电路包含启动电路,启动电路用于保证上电之后电路进入正常工作状态,同
时为感温电路提供偏置电流I,感温电路再将温度信息转换为负温度系数模拟电压信号
2V;为了驱动较大片外负载,2V需要经过一个单位增益缓冲器来保持输出电压不受外部
负载影响,因此最后由单位增益缓冲电路对2V进行缓冲输出模拟电压信号TAO。
[0038]在单位增益缓冲电路中,差分输入端两支路电压由一对可调偏置电压VB调节,当
差分输入端电压不同时,通过调节电流差来实现对输出端的补偿,从而通过反馈使差分输
入端完全相等,对失调电压的校准过程只需在常温下完成便能实现全温度范围内的offset
[0039]感温电路包括:第一校准电路CAL1和第二校准电路CAL2,CAL1和CAL2分别为校准
时的两个电流输入端口,第一支路A12与第二支路A1为一对大小比例为12:1的电流拷贝,第
三支路B12与第四支路B1.5为一对大小比例为12:1.5的电流拷贝;在不进行校准的情况
[0040]参考图3,CAL1、CAL2为校准时的两个电流输入端口,支路A12与支路A1为一对大小
比例为12:1的电流拷贝,支路B12与支路B1.5为一对大小比例为12:1.5的电流拷贝,在没有
校准的情况下支路A12与B12的电流完全相同。而MOS对管D0、D1最大的作用是抽走双极晶体管
[0041]第一校准电路CAL1与第二校准电路CAL2两个端口的输入电流由EFUSE控制器中相
减小的方向,TRIM_SENS[7:0]用以确定每个方向的电流的大小调节。
三支路B12的电流镜像大小完全相同,流经第三支路B12的PMOS管电流减小,拷贝到第四支
相同,流经支路B12的PMOS管电流就会减小,因此拷贝到支路B1.5的电流随之减小,最终导
致感温电路输出电压OUT也减小,这样就实现了输出电压在负方向的校准过程。同理可得,
当TRIM_SENS[8]=1时CAL1端口电流增加,输出电压增大,实现正方向的校准过程。
[0045]当TRIM_SENS[8]=1时,第一校准电路CAL1端口电流增加,输出电压增大,实现正
[0046]在不同工艺、电源的情况下校准时需根据详细情况对EFUSE控制器中相关寄存器
TRIM_SENS[8:0]进行配置,以使电路实际输出电压更接近参考值作为校准原则。
[0047]感温电路内的温度传感元件由BJT的基极和发射极间电压堆叠组成,其中偏置电
路用于提供一个相对来说比较稳定的恒温偏置电流,减少单增益缓冲器重要性能指标受温度等因素
[0048]高精度单位增益缓冲器本发明采用的电路结构如图2所示,IN1为高精度单位增益
缓冲器输入端,TAO为缓冲输出,通过反馈环路连接到差分输入端IN2。当IN1小于TAO即失调
电压offset大于0时,流经MOS管M3的支路1的电流小于流经MOS管M4的支路2的电流,此时通
过efuse控制器中相关寄存器TRIM_OS[6:0]的配置调节偏置电压对使V1大于V2,从而减小
支路3的电流,使电流IB1与IB2最终能达到几乎相等的效果,调节补偿后的电流经过输出端
反馈到IN2,使得IN1与IN2达到平衡。当IN1大于TAO即失调电压offset大于0时,同理可推得
进用以调整补偿单增益缓冲器带来的失调电压,在电源电压为Typ值即VDD=2.7V时,整个
系统中失调电压offset补偿范围约为±11mV。且由于整体电路确定后失调电压特性也随之
确定,同时补偿电路的温度系数为恒温电流,只需在常温下完成offset校准就可以实现全温
度范围内的失调电压补偿。即使在不同工艺corners下,重新调整温度系数也可实现此功
[0050]本发明的实施原理为:本发明公开了一种应用于BJT温度传感器的高精度运放缓
冲器,其通过efuse中寄存器配置调整偏置电压对来达到改变单增益缓冲器中支路电流,调
整电流差的目的,从而使得在缓冲器中引入的失调电压offset可调,在电源电压变化范围
为2‑5.5V时,整体系统offset调整步进为正负两个方向各32steps,全温度范围内补偿最大
可达±11mV。在不同工艺、电源、温度的情况下可灵活调整efuse控制器中相关寄存器TRIM_
OS[6:0]的配置来实现失调电压的补偿功能,使得单位增益缓冲器输入信号实现完美缓冲,
[0051]本具体实施方式的实施例均为本发明的较佳实施例,并非依此限制本发明的保护
范围,故:凡依本发明的结构、形状、原理所做的等效变化,均应涵盖于本发明的保护范围之
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